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      单晶IGBT研发系列报道(一)——不忘初心

      发布时间:2019-12-25

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      誓师

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      今天的中国,,,正处于在战略转型的关键期和决战期,,,电动汽车、、新能源、、、、轨道交通、、、、智能电网、、、、海洋工程、、前沿物理研究等一大批决定中国未来的关键技术、、战略新兴产业的突破和发展,,,,都离不开IGBT - 这项关键功率半导体器件的支撑和助力。。。。然而至今,,,,中国自主IGBT技术仍然远落后于国外,,亟待取得突破,,,,为国家的发展保驾护航。。。


      时势造英雄,,当仁不让。。。。


      今天的单晶,,,已经成为了功率半导体及其配套器件国产化自主研发的先锋。。。国内首台自主技术阳极饱和电抗器、、、大功率电力电子电容器,,国际领先的数字式IGBT驱动、、、、层叠母排、、固态交直流断路器、、脉冲电源、、、阻抗测量等一大批高新技术产品,,,是单晶坚持“研发驱动发展”战略而收获的丰硕成果。。


      今天的单晶,,已拥有国际一流的技术研发实力。。。。单晶已经建立了国内三大研发中心、、、、海外三大研发团队的研发体系。。其中,,,,海外IGBT研发团队的成员,,,均来自欧洲一流企业,,,不仅掌握国际最先进的技术理念,,,,也拥有国内稀缺的大规模制造工艺和经验。。可以说,,,IGBT研发,,,,单晶是“站在巨人的肩膀上”起步。。


      不忘初心,,,方得始终。。。


      今天,,终于到了项颉和单晶去实现梦想的时刻。。我们有信心、、、、有决心研发出属于中国自己的高端IGBT技术和产品,,让那一颗梦想的种子,,,开出最灿烂的花朵,,,,结出最丰硕的果实。。。。



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