9月28日上午10时，，，，单晶电力电子集团有限公司（以下简称“单晶集团”）及子公司瑞士SwissSEM Technology AG （以下简称“SwissSEM”）召开自主技术IGBT首发产品发布会。。。。

单晶“i20” IGBT芯片技术的首款产品1200V/200A 芯片 和 单晶ED-Type IGBT模块技术的首款产品1200V/600A 模块，，正式发布
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自2019年3月，，，单晶集团宣布启动IGBT项目，，，，致力于打造具有国际水平的自主技术IGBT芯片和模块产品至今
，，，，短短的1年零6个月时间里。。。单晶不仅组建技术团队并设立了全面负责IGBT业务的SwissSEM公司，，，还高效的完成了技术路线论证、、供应链体系建立、、、生产基地动工等一系列工作。。
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今天，，，梦想走进现实，，
，，终于迎来了单晶IGBT首发产品的正式揭幕
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。。全体单晶人激动万分，，各界伙伴也纷纷送上了祝贺与祝福。。。。

领先而独到的设计
，，带来出色的测试表现

在发布会中，，，
，SwissSEM公司CEO – Roland先生，，
，，首先向大家致意并介绍了技术研发团队和项目概况。。

此后，，，，SwissSEM公司CTO -Arnost先生，，详细介绍了IGBT芯片技术的研发规划、、
、设计思路、、技术特点和测试表现。
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单晶首款IGBT芯片产品i20芯片，，，采用精细沟槽、、
、、窄台面、、、、优化N型增强层、、短沟道、
、、
、3D结构、
、、
、优化P+、
、优化的激光退火缓冲区和阳极，，以及超薄的N-基底等一系列行业前沿设计，，带来了卓越的性能表现。。
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Arnost先生还郑重承诺，，，，一定会将SwissSEM打造成高性能、
、高品质IGBT器件的代名词
。。

SwissSEM公司COO – Sven先生，，，重点为大家介绍了首款模块产品 ED-Type模块。。

该模块特别采用了可以提高均流性能近2倍的直线布局，
，，
，极大的改善了可靠性和稳定性。。。

此外，，，，源于严格的供应商筛选和管理体系，，，以及最出色的制造工艺，
，，，使ED-Type模块样品在测试中，，
，，经过3倍于设计寿命后，，，六个样品中也仅有一个出现了失效
。。这样优异表现的大大超出了预期
。。。。

最后，，Roland先生为大家展示了SwissSEM公司的发展蓝图。。

不仅由SwissSEM独家研发并已在申请专利的ST-Type模块，
，，，让大家眼前一亮。。另一方面，，
，
，针对电动汽车领域的第7代微沟槽技术i21芯片，，，，使用新材料SiC的M2x芯片，
，以及具有独到技术的EV-Type模块，，也让人感受到了SwissSEM对于电动汽车领域的高度重视和出色技术。。。

不忘初心，，砥砺前行

自单晶集团董事长项颉先生，，，怀揣着技术强国的梦想回国创立单晶集团至今，，，已经过去了将近20年
。。今天，，
，
，在祖国生日的前夕
，，
，我们迎来了首个IGBT研发成果，，
，令人激动，，令人振奋
。。。

然而，，，作为一项难度极高的硬科技，，
，IGBT研发的后续工作和产业化依然要秉承着“务实、、、、认真”的科技工匠精神，，，一步一个脚印的走稳、、走好
。。这样才能拿出品质过硬，
，
，性能领先的一流产品
。。。。在本次发布会后，，单晶将立即对首发样品开始进一步的测试和验证
，，，在2020年底前量产，，并送给客户开始应用验证
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