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    单晶携自主研发IGBT、、、SiC芯片及模块 亮相SPEED 2024

    发布时间:2024-04-13

    4月13日,,,,第十七届中国高校电力电子与电力传动学术年会(SPEED 2024)在安徽宣城举办。。SPEED 2024由合肥工业大学电气与自动化工程学院承办,,作为国内高等院校电力电子与电力传动学科最重要的学术论坛之一,,吸引了近千名业界著名专家学者、、高校师生,,,以及业内知名企业的积极参与。。。。作为新能源产业链核心器件和创新技术型企业,,,单晶亚太半导体科技(浙江)有限公司(以下简称:单晶半导体)受邀参会。。。



    展览中,,,,单晶半导体自主研发IGBT、、、SiC芯片及模块引发众多专家学者、、、高校师生热烈关注和深入交流,,并受到了与会技术专家和客户的高度关注和热烈反响。。。。



    单晶i20系列IGBT芯片组(1200V、、、1700V)1700V是IGBT的主流电压等级之一,,,,广泛应用于风力发电、、、、无功补偿(SVG)、、、智能电网,,,,以及中高压变频器等领域。。。单晶i20系列1700V IGBT芯片组,,基于经典的沟槽栅及场截止芯片结构,,并采用了窄台面、、、、优化N-型增强层、、短沟道、、、、3D结构、、、、优化P+层等多项行业前沿理念的优化设计,,具有大功率、、、、低损耗、、、高可靠性等卓越的芯片性能,,代表了国内同类芯片技术的最高水平。。



     单晶ST封装IGBT模块(1200V、、1700V)ST封装IGBT模块采用行业标准外形设计(62mm),,具有极佳的通用性,,,是工业级IGBT模块中的主流型号之一。。。特别是在光伏发电、、、低压变频器、、UPS电源、、、电机驱动、、、、数控机床等领域,,,ST封装IGBT模块具有广泛的市场需求。。作为单晶打造精品国产IGBT模块战略的最新成果。。。ST封装IGBT模块采用优化布局、、、、三维信号传输等创新设计(已申请专利)实现了出色的模块性能:同类产品中最低的内部热阻、、、连接阻抗、、内部杂散电感等。。。



    单晶HEEV封装SiC模块(1200V)HEEV封装SiC模块为电动汽车应用量身定做,,导通阻抗低至2.0mΩ(@25℃),,可用于高达250kW电驱系统,,并满足电动汽车驱动系统对高功率、、、、小型化和高可靠性功率的需求。。。



    单晶EVD封装SiC模块(1200V)EVD封装SiC模块采用乘用车领域普遍采用的全桥封装。。。通过内部优化设计,,,,具有出色的性能表现。。与业界头部企业相同规格封装模块对比,,,单晶EVD封装SiC模块的导通电阻低10%至30%,,,,连接阻抗低33%,,,,开关损耗相近或者更低(相同开关速度)。。。。


    不仅如此,,,单晶半导体首款引以为傲IGBT产品-ED封装IGBT模块,,以及EV封装IGBT模块,,,,同样引发了广泛关注。。。。充分体现了单晶在电驱动领域的强大技术实力。。。作为新能源产业链核心器件和创新技术型企业,,单晶始终坚持“以科技创新,,推动绿色能源发展”为使命,,,,站在行业的前沿不断探索、、、、创新。。凭借多年出色的实用业绩和领先的市场地位,,赢得了中国电力电子技术创新研发和国产化先锋的赞誉。。。。



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